2020年廣東工業(yè)大學光學工程、材料物理與化學、電子科學與工程、電子信息調(diào)劑信息

24考研復試面試模擬體驗包（1次）

2024考研復試特訓班[1V1材料修改+面試模擬+聽口糾音]

我們幾位老師組團招生，有3-4個名額。 研究 方向有   光學工程（學碩）、材料物理與化學（學碩）、電子科學與工程（學碩）、電子信息（專碩）。

要求是：

1. 過國家工科線；

2. 光學工程 要求考 數(shù)一；其它要求考了數(shù)二，或數(shù)一；

3. 積極、勤奮；

4. 有目標和理想，或?qū)ι�活有美好的向往�?/p>

請符合要求的同學發(fā)簡介到上面的QQ郵箱中。我們會組織一次簡單的網(wǎng)絡會談。在郵件中說說自己對哪位老師的哪個方向感興趣。

張欣   1976年12月出生，博士，教授 ，碩士生導師。“千百十人才培養(yǎng)工程”省級培養(yǎng)對象，廣東工業(yè)大學“培英育才”首批培養(yǎng)對象，《 聲學技術》、《 Chinese Physics Letters》雜志審稿人。從事復合材料聲學性質(zhì)的研究工作二十年，在聲子晶體、聲波/光波導設計、隨機分散介質(zhì)中的聲波準模式、以及聲超常材料的奇異性質(zhì)等課題上做出了很有學術價值的研究成果。http://yzw.gdut.edu.cn/info/1124/1696.htm     

董華鋒  博士生導師，畢業(yè)于清華大學物理系，廣東省杰出青年基金獲得者，方向：基于第一性原理的新材料預測，包括新能源材料,二維柔性電子材料，多鐵材料，超硬材料，高壓高溫極端條件下材料的結(jié)構(gòu)及物性  http://yzw.gdut.edu.cn/info/1087/1343.htm

文敏儒   畢業(yè)于清華大學物理系，方向： 基于遺傳演化算法的結(jié)構(gòu)預測和基于密度泛函理論的新材料預測材料力學及熱力學性質(zhì)的第一原理計算     http://yzw.gdut.edu.cn/info/1124/3294.htm

段 鶴  博士，副教授，碩士生導師。2008年，中科院上海技術物理研究所獲理學博士。研究領域為基于密度泛函理論框架中的第一性原理計算方法，計算模擬凝聚態(tài)物質(zhì)中的雜質(zhì)缺陷，為材料生長及應用出現(xiàn)的物理問題提供理論支持。 http://yzw.gdut.edu.cn/info/1124/1719.htm 

下面兩位老師是實驗研究為主：

龍慧     龍慧，碩士生導師。2016年底畢業(yè)于香港理工大學應用物理系，獲得博士學位，2017年至2018年在香港理工大學應用物理系任職副研究員，繼續(xù)從事二維半導體材料的制備與非線性光學應用的相關研究。2018年11月入選廣東工業(yè)大學“青年百人計劃”A類，進入廣東工業(yè)大學物理與光電學院工作。主要從事二維材料（包括石墨烯、硒化銦、二硫化鎢等）在激光光限幅、超快激光、光電探測、光催化等方面的應用研究。目前已發(fā)表論文30余篇，其中多篇文章被作為封面報道，所發(fā)表期刊包括Nanoscale, J Mater. Chem. C, Scientific Reports, Opt. Lett., Opt. Express等在內(nèi)的國際高水平期刊。 https://yzw.gdut.edu.cn/info/1124/3285.htm 

下面這位青年老師剛從海外引進，學校還沒有介紹的主頁，下面介紹詳細一點：

楊玉玨   畢業(yè)于中科院半導體所、中國科學技術大學，曾在西班牙光子科學研究所學習；方向：重點面向功能化新型低維與半導體體系，理論與實驗結(jié)合，系統(tǒng)開展高效信息電子與光電器件(晶體管、二極管、探測器、光伏電池等)的物理與應用研究

項目經(jīng)驗：

1）可見及紅外波段光電探測器件(光電晶體管)研究；
2）新型橫向型光/微電子器件研究(光電二極管、雙極晶體管)；
3）高性能晶體管(場效應)及電子-聲子散射物理機制研究；
4）大面積垂直型光電子器件 (二極管 、光伏 )的應用研究；
5）低維半導體大規(guī)模可控合成及光/電學性能測試。

部分論文
1. Nengjie Huo#, Yujue Yang#, et al., G. Konstantatos*. High carrier mobility in monolayer CVD-grown MoS2 through phonon suppression. Nanoscale. 10, 15071–15077 (2018). 1區(qū), IF 7.233, Top期刊
2. Yujue Yang, et al., Jingbo Li*. Gate-tunable and high optoelectronic performance in multilayer WSe2 P–N diode. Journal of Materials Chemistry C. 6, 11673-11678 (2018). 1區(qū), IF 5.976, Top期刊
3. Yujue Yang, et al. Gate tunable photovoltaic effect in a MoSe2 homojunction enabled with different thicknesses. Journal of Materials Chemistry C. 5, 7051–7056 (2017). 1區(qū), IF 5.976, Top期刊
4. Yujue Yang, et al. Sensitized monolayer MoS2 phototransistors with ultrahigh responsivity. Journal of Materials Chemistry C. 5, 11614–11619 (2017). 1區(qū), IF 5.976, Top期刊
5. Yujue Yang, et al. Gate modulated and enhanced optoelectronic performance of MoSe2 and CVD-grown MoS2 heterojunctions. RSC  advances. 7, 41052–41056 (2017). IF 2.936

考研調(diào)劑信息提示：

本文內(nèi)容轉(zhuǎn)載自小木蟲論壇，由學校導師實驗室自行發(fā)布，準確度有待考量，請謹慎選擇。

查看原文：http://muchong.com/html/202004/14206202.html

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